在潔凈的環(huán)境下制備薄膜，是保證薄膜質量的關鍵技術之一。凈化間的定義最初是由美國開發(fā)的聯邦標準209版(Federal Standard 209)。后來發(fā)展為以單位體積中存在一定直徑以上的顆粒數為基礎的凈化間級別的定義。凈化間級別的米制版如表4一18所列。圖4一19的縱坐標表示單位體積中的粒子數，右邊對應英制，左邊對應米制。按照聯邦標準209E，每立方英尺中0.5μm以上的粒子數100個、10000個、100000個分別對應于FS100, FS10000和FS100000。這就是我們常用到的100級、10000級和100000級。
   隨著對凈化間的要求越來越高，對凈化間標準規(guī)定的越來越細。近年來，規(guī)定按每立方米中0.1μm以上的粒子數，分別對應為新1級(10個)、新2級(100個)、新3級(1000個)、新4級(10000個)等，見圖4一20的左邊.
   在薄膜制備中，采用什么環(huán)境最合適。需要根據具體情況而定。如對于半導體、集成電路等的薄膜制作，應該在新5級(FS100)一新6級(FS1000)的潔凈室進行基片清洗，在優(yōu)于新3級(FS1)的潔凈環(huán)境中進行鍍膜。因此，必須從制備薄膜的需要來確定清潔度和設計工作間。