氧化鋁和鎂橄欖石等絕緣性陶瓷，即使在高溫條件下對高頻電力也具有優(yōu)異的絕緣電阻、耐壓和介電損耗等性能。陶瓷絕緣材料的主要用途見表4一5，其性能見表4一6。
   陶瓷性能受到下面許多因素影響:主要成分的晶體類型，非主要成分組成，雜質(zhì)，玻璃質(zhì)中間物，氣孔數(shù)最和分布狀態(tài)，在結(jié)晶過程中產(chǎn)生的成分偏離和結(jié)構缺陷等。高精細陶瓷材料，在功能、材質(zhì)特性、與金屬連接的加工復雜性、尺寸精度和形狀精度等方面，均能滿足現(xiàn)代薄膜制備與薄膜器件的需要。

   氧化鋁基片的制造技術發(fā)展很快，純度92% -99%的氧化鋁陶瓷得到了廣泛的應用。薄膜電路主要使用研磨的氧化鋁基片、在氧化鋁基片上涂玻璃釉的涂釉基片、光潔的高純度氧化鋁基片以及研磨的藍寶石基片。
   藍寶石基片不管是在電絕緣性能、化學熱穩(wěn)定性能;還是導熱性能和表面粗糙度等均是性能優(yōu)異的薄膜基片。藍寶石基片應用范圍很廣，除用作電子材料外還可以用作光學材料、機械零件材料和裝飾材料。過去一直采用韋納伊氫氧焰熔融法(Verneuil)和切克勞斯基(Czochralski)單晶控制法生產(chǎn)這種基片，但1975年以后日本京塞拉公司采用邊緣固定的膜饋送成長法(EFG)制造出薄膜基片、硅用藍寶石(SOS)基片和硅一藍寶石晶片。
   由于藍寶石在GH:內(nèi)的介電損耗小、熱導率大，因此它作為微波用薄膜基片是很優(yōu)異的。另外藍寶石表面極光潔，因此可以用作需要進行微細圖形加工的混合集成電路基片和精密薄膜電阻的基片。表4一7列出現(xiàn)在成批生產(chǎn)的用作基片的藍寶石和具有其他形狀的藍寶石的尺寸。